联合创新，盟约共赢 —–中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式成立

2016年4月27日，在国家科技部，北京市科委和北京市民政局的大力支持下，由宽禁带半导体行业的知名企业，科研机构和大专院校等众多单位自发发起筹建的中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟成立大会在中科院物理所圆满召开，这标志着一个全新的独立法人社团新兴组织—中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）正式成立。

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟成立大会现场

国家科技部、北京市科委、北京市民政局、中国科学院、中国电子材料行业协会、北京电力电子学会和中国宽禁带功率半导体产业联盟等领导出席了成立大会。北京市民政局宣读了关于宽禁带联盟成立的行政许可决定书，宣布了宽禁带联盟正式成立。紧接着，在揭牌仪式上，国家科技部、北京市民政局、中国科学院等领导共同为宽禁带联盟揭牌。随后参会领导分别致辞，对宽禁带联盟的成立表示高度的认可和祝贺，并对宽禁带联盟的发展提出了殷切的希望和宝贵的建议。

大会表决通过了宽禁带联盟章程，选举产生了宽禁带联盟执行机构和监督机构。随后召开了宽禁带联盟第一届理事会第一次工作会，进行了理事长、副理事长、秘书长及法人的选举。召开了宽禁带联盟第一届监事会第一次工作会，进行了监事长的选举。中国科学院大学焦建彬教授宣读了宽禁带联盟第一届理事会第一次工作会和宽禁带联盟第一届监事会第一次工作会决议，经过投票选举，会议选举中国科学院物理研究所陈小龙研究员为首届宽禁带联盟理事长；选举北京天科合达半导体股份有限公司项目部经理陆敏为宽禁带联盟秘书长兼法人。

随后，陈小龙研究员以理事长的身份对当选表示深情感谢，愿意全力担当责任与使命，带领会员单位紧密合作，协同创新，为我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展作出贡献。陆敏也以宽禁带联盟秘书长身份，对当选表示深感荣幸和压力重大，愿意在宽禁带联盟理事会和监事会的领导下尽心努力，为会员单位做好服务工作，并对宽禁带联盟成立之后近期工作计划做了相关汇报。

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟成立大会合影

宽禁带半导体材料是近年来快速发展起来的以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料，具有宽禁带，高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射性能的优点，是电力电子及微波射频器件的“核芯”，在新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料，宽禁带半导体产业已经成为国际上公认的战略性新兴产业，具有巨大的技术带动性和市场牵引性，预计到2020年，宽禁带半导体产业将在节能减排、信息技术、国防装备三大领域催生上万亿元的潜在市场。为推动我国宽禁带半导体技术的研发创新和科技成果的转化应用，抓住我国“换道超车”的历史性发展机遇，抢占全球技术和产业制高点，形成一批具有核心自主知识产权和国际竞争力的龙头企业，产业上下游企业与科研院所的联合创新势在必行。

宽禁带联盟发起的目的主要是以技术创新为核心，围绕全产业链进行垂直一体化组织实施，重点攻克全产业链共性关键技术和各产业间衔接关键技术，推动科技成果转化为企业效益，促进政产学研用协同合作，带动我国宽禁带半导体行业健康、有序、快速发展。提升宽禁带半导体产业国际影响力，打造中国“芯”，实现中国梦。