天科合达牵头起草的团体标准《碳化硅单晶》启动会成功召开

2016/12/21

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准《碳化硅单晶》起草工作启动会于12月20日在北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）成功召开！

团体标准《碳化硅单晶》由天科合达牵头，邀请中科院物理所、中科院半导体所、中电四十六所、山东大学、北京三平泰克科技有限公司、北京华进创威电子科技有限公司、河北同光晶体有限公司7家单位共同起草，各起草单位派代表出席了启动会！

启动会由团体标准《碳化硅单晶》牵头单位天科合达负责人刘振洲工程师主持，刘振洲向与会代表介绍了标准的初步框架和内容，然后与会代表进行了详细讨论并提出宝贵意见。

中电四十六所首席专家林健就碳化硅单晶分类中应将半绝缘晶体细分为掺杂半绝缘和高纯半绝缘晶体、电阻率不均匀性仅针对导电型晶体等内容提出了具体建议；北京三平泰克科技有限公司技术总监郑红军提议在表征晶体完整性时增加包裹物、相变裂纹等指标；北京华进创威电子科技有限公司副总经理刘欣宇提议应在附录中增加测定晶型的拉曼光谱测定方法，其他代表还提出应根据多型、微管密度等指标将晶体等级细分为I、Ⅱ、Ⅲ级，规定在晶体头部、尾部各取1片作为取样样品………启动会气氛活跃，讨论热烈。

经过讨论，初步确定了团体标准《碳化硅单晶》的主要内容，明确了各参与单位的任务分工，并形成了标准起草工作的月度工作计划，为接下来标准的起草工作奠定了扎实的基础。

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