2023年5月17日，国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸SiC 单晶衬底制备产业化技术”项目实施方案论证会暨项目进度汇报会在北京天科合达半导体股份有限公司总部顺利举行。清华大学教授罗毅院士、北京大学宽禁带半导体研究中心主任沈波教授、中材人工晶体研究院教授级高工黄存新副院长、原北方华创副总裁李东旗研究员、国家第三代半导体技术创新中心处长张志国研究员、中国农科院农经所高级会计师靳淑平及项目各承担单位代表近30人参加会议。

论证会现场照片

首先，北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建对本次会议进行致辞，并对各位专家的到来表示热烈的欢迎与衷心的感谢。随后，项目负责人北京天科合达半导体股份有限公司副总经理刘春俊研究员从项目概要、项目总体目标、成果与考核方法、主要任务及分工、实施计划、经费安排、组织管理及保障措施等方面，详细介绍了项目实施方案，并汇报了项目年度进展以及下一阶段工作计划。课题负责人赵宁高级工程师、王英民研究员分别对所负责课题的实施方案和年度进展进行了汇报。专家组对本项目执行情况给予特别建议，表示项目牵头单位要认真履行牵头责任，希望项目团队坚持面向世界科技前沿和国家重大战略需求，不断推进项目进展，确保项目顺利实施和高质量完成任务目标。专家组还充分肯定了项目总体实施方案和项目的年度进展，并在研究内容、研究重点、产业化技术方案、研究经费等方面提出了建议。经专家质询答疑、技术指导和综合评议，项目实施方案顺利通过专家论证。

项目组全体参与人员合影

SiC材料在新能源汽车、微波通讯、光伏、航空航天等领域具有重要的应用价值，是前沿、基础的核心关键材料。近年来，我国SiC半导体材料及相关器件的研究取得了较大的进展，但在产业化发展进程上与国外相比仍存在差距。大尺寸SiC 单晶衬底制备产业化技术是急需解决的共性关键技术。

北京天科合达半导体股份有限公司作为牵头单位，联合山西烁科晶体有限公司、中国科学院物理研究所、中电化合物半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、西安电子科技大学、西北工业大学、中兴通讯股份有限公司旨在突破大尺寸SiC衬底低成本、高效率制备产业化核心技术，实现低缺陷密度6英寸SiC衬底的规模化生产和高质量8英寸SiC衬底的成功研制，解决SiC衬底材料高质、批量国产化供应难题，促进国内SiC衬底材料产业快速发展，支撑国家在新材料、智能装备等领域占据国际战略制高点，增强我国在宽禁带半导体产业自主可控能力。