6英寸半绝缘型衬底

6英寸半绝缘型衬底

技术成果

零微管密度控制技术

单一晶型控制技术

包裹物控制技术

电阻率控制技术

杂质调控技术

衬底台阶宽度控制技术

衬底面型控制技术

产品概述

半绝缘碳化硅衬底是半绝缘碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料,经过异质外延生长、器件制造等环节,可制成碳化硅基射频器件,是第三代半导体产业发展的重要基础材料。6英寸衬底目前为行业主流尺寸,公司为国内外客户批量提供具有高性价比的6英寸半绝缘型衬底产品。

下游产品与应用

通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓异质外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,通过晶圆制造、封装检测,可进一步制成微波射频器件,主要应用于射频领域,例如5G通讯、相控阵雷达、无线电探测器等。

产品规格书
直径 149.5 mm-150.0 mm
品型 4H
厚度 500 μm±15 μm
晶片方向 偏离 <0001> 方向<± 0.5° 
微管密度 ≤1 cm-2
电阻率 ≥1 E10 Ω·cm
主定位边方向 {10-10} ±5.0°
主定位边长度 Notch
边缘去除 3mm
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 ≤ 2.5 μm/≤ 6 μm/≤ 25 μm/≤ 35 μm
表面粗糙度 抛光 Ra≤ 1 nm
CMP Ra≤ 0.2 nm
边缘裂纹(强光灯观测) ——
六方空洞(强光灯观测) 累计面积 ≤ 0.05%
多型(强光灯观测) ——
目测包裹物(日光灯观测) 累计面积 ≤ 0.05%
硅面划痕(强光灯观测) ——
崩边(强光灯观测) 不允许宽度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm
穿透螺位错(TSD) ≤ 500 cm-2
硅面污染物(强光灯观测) ——
包装 多片卡塞 / 单片盒包装 
直径 149.5 mm-150.0 mm
晶型 4H
厚度 500 μm±25 μm
晶片方向 偏离<0001> 方向<±0.5°
微管密度 ≤15 cm-2
电阻率 ≥1 E5 Ω·cm
主定位边方向 {10-10} ±5.0°
主定位边长度 Notch
边缘去除 3 mm
局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 ≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μm
表面粗糙度 抛光 Ra≤ 1 nm
CMP Ra≤ 0.5 nm
边缘裂纹(强光灯观测) 累计长度 ≤ 20 mm, 单个长度≤ 2 mm
六方空洞(强光灯观测) 累计面积 ≤ 0.1%
多型(强光灯观测) 累计面积≤ 3%
目测包裹物(日光灯观测) 累计面积≤ 3%
划痕(强光灯观测) 累计长度≤ 1x晶圆直径
崩边(强光灯观测) ≤ 7个,每个≤ 1 mm
穿透螺位错 ——
硅面污染物(强光灯观测) ——
包装 多片卡塞/单片盒包装
相关下载
如果您有任何疑问 请向我们留言

电话咨询

您也可以直接拨打分机号

010-50875766 转 691,693,695
captcha

*您的信息已经经过加密处理,我们会保证您的信息隐私安全。