8英寸导电型衬底
技术成果
零微管密度控制技术
低位错密度控制技术
低层错密度控制技术
电阻率均匀性控制技术
低应力及面型控制技术
产品概述
导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。
8英寸导电型衬底是下一代行业主流尺寸产品。8英寸产品质量与6英寸相当，未来公司将根据客户实际需求，同步扩大8英寸衬底生产规模，并有效降低生产成本，推动8英寸衬底不断向前发展。
下游产品与应用
碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。
产品规格书
| 直径 | 199.5 mm -200.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 500 μm±25 μm | |
| 晶片方向 | 向<11-20>偏转4.0°±0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 0.2 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015-0.025 Ω.cm | |
| Notch晶向 | {10-10} ±5.0° | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤5 μm/≤10 μm/±35 μm/70 μm | |
| 表面粗糙度 | 抛光 Ra ≤ 1 nm | |
| CMP Ra ≤ 0.2 nm | ||
| 边缘裂纹（强光灯观测） | —— | |
| 六方空洞（强光灯观测） | 累计面积 ≤ 0.05% | |
| 多型（强光灯观测） | —— | |
| 目测包裹物（日光灯观测） | 累计面积≤ 0.05% | |
| 硅面划痕（强光灯观测） | —— | |
| 崩边（强光灯观测） | 不允许宽度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 穿透螺位错（TSD） | ≤ 300 cm-2 | |
| 硅面污染物（强光灯观测） | —— | |
| 包装 | 多片卡塞/单片盒包装 | |
| 直径 | 199.5 mm -200.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 500 μm±25 μm | |
| 晶片方向 | 向<11-20>偏转4.0°±0.5° | |
| 微管密度 | ≤5 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015-0.028 Ω.cm | |
| Notch晶向 | {10-10}±5.0° | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤10 μm/≤15 μm/±50 μm/100 μm | |
| 表面粗糙度 | 抛光 Ra ≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.5 nm | ||
| 边缘裂纹（强光灯观测） | 累计长度≤ 30 mm ，单个长度≤ 2 mm | |
| 六方空洞（强光灯观测） | 累计面积 ≤ 0.1% | |
| 多型（强光灯观测） | 累积面积≤ 3% | |
| 目测包裹物（日光灯观测） | 累计面积≤ 3% | |
| 硅面划痕（强光灯观测） | 累计长度≤ 1x晶圆直径 | |
| 崩边（强光灯观测） | ≤ 9个，每个≤ 1 mm | |
| 穿透螺位错（TSD） | —— | |
| 硅面污染物(强光灯观测) | —— | |
| 包装 | 多片卡塞/单片盒包装 | |
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