4英寸导电型衬底
技术成果
低微管密度控制技术
单一晶型控制技术
包裹物控制技术
电阻率控制技术
面型控制技术
产品概述
导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户对小尺寸产品的多样化需求，我们依旧保留部分4英寸及以下小尺寸产品的产能，确保供应无忧。
下游产品与应用
碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。
产品规格书
| 直径 | 99.5 mm-100.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 偏转角度：向 <11-20> 偏转 4.0° ± 0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 0.2 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015-0.024 Ω·cm | |
| 主定位边方向 | 平行于{10-10} ±5.0° | |
| 主定位边长度 | 32.5 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位边长度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位边方向 | 硅面朝上：从主定位边顺时针旋转 90° ± 5.0° | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |
| 表面粗糙度 | 抛光 Ra ≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 边缘裂纹（强光灯观测） | —— | |
| 六方空洞（强光灯观测） | 累计面积 ≤ 0.05% | |
| 多型（强光灯观测） | —— | |
| 目测包裹物（日光灯观测） | 累计面积 ≤ 0.05% | |
| 硅面划痕（强光灯观测） | —— | |
| 崩边（强光灯观测） | 不允许宽度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 硅面污染物（强光灯观测） | —— | |
| 穿透螺位错（TSD） | ≤ 500 cm-2 | |
| 包装 | 多片卡塞/单片盒包装 | |
| 直径 | 99.5 mm-100.0 mm | |
| 品型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±25 μm | |
| 晶片方向 | 偏转角度：向 <11-20> 偏转 4.0° ± 0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 15 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015-0.028 Ω·cm | |
| 主定位边方向 | 平行于{10-10} ±5.0° | |
| 主定位边长度 | 32.5 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位边长度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位边方向 | 硅面朝上：从主定位边顺时针旋转 90° ± 5.0° | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |
| 表面粗糙度 | 抛光 Ra ≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 边缘裂纹（强光灯观测） | 累积长度≤ 10 mm，单个长度≤2 mm | |
| 六方空洞（强光灯观测） | 累计面积≤ 0.1% | |
| 多型（强光灯观测） | 累计面积≤ 3% | |
| 目测包裹物（日光灯观测） | 累计面积≤ 3% | |
| 硅面划痕（强光灯观测） | 累计长度≤1x晶圆直径 | |
| 崩边（强光灯观测） | ≤ 5个，每个≤ 1 mm | |
| 硅面污染物（强光灯观测） | —— | |
| 穿透螺位错（TSD） | —— | |
| 包装 | 多片卡塞/单片盒包装 | |
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