6英寸导电型衬底
技术成果
零微管密度控制技术
低位错密度控制技术
低层错密度控制技术
电阻率均匀性控制技术
超薄衬底加工及面型控制技术
产品概述
导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。6英寸导电型衬底是目前行业主流尺寸产品。我们的6英寸导电衬底的品质已达到国际水准，并且拥有极高的性价比。经过下游客户的全面验证，产品性能稳定可靠，已在车规级和工业级应用中取得显著成果。
下游产品与应用
碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。
产品规格书
| 直径 | 149.5 mm-150.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 偏转角度：向<11-20>偏转4.0±0.5° | |
| 微管密度 | ≤0.2 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015-0.024 Ω·cm | |
| 主定位边方向 | {10-10} ±5.0° | |
| 主定位边长度 | 47.5 mm±2.0 mm | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤2.5 μm/≤6 μm/≤25 μm/≤35 μm | |
| 表面粗糙度 | 抛光 Ra≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 边缘裂纹（强光灯观测） | —— | |
| 六方空洞（强光灯观测） | 累积面积 ≤ 0.05% | |
| 多型（强光灯观测） | —— | |
| 目测包裹物（日光灯观测） | 累积面积 ≤ 0.05% | |
| 硅面划痕（强光灯观测） | —— | |
| 崩边（强光灯观测） | 不允许宽度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 穿透螺位错 | ≤ 500 cm-2 | |
| 硅面污染物(强光灯观测) | —— | |
| 包装 | 多片卡塞 / 单片盒包装 | |
| 直径 | 149.5 mm-150.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±25 μm | |
| 晶片方向 | 偏转角度：向<11-20>偏转4.0°±0.5° | |
| 微管密度 | ≤15 cm-2 | |
| 电阻率 | 0.015~0.028 Ωcm | |
| 主定位边方向 | {10-10} ±5.0° | |
| 主定位边长度 | 47.5 mm±2.0 mm | |
| 边缘去除 | 3 mm | |
| 局部厚度变化/总厚度变化/弯曲度/翘曲度 | ≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μm | |
| 表面粗糙度 | 抛光 Ra≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 边缘裂纹（强光灯观测） | 累计长度≤ 20 mm, 单个长度≤ 2 mm | |
| 六方空洞（强光灯观测） | 累计面积≤ 0.1% | |
| 多型（强光灯观测） | 累计面积≤ 3% | |
| 目测包裹物（日光灯观测） | 累计面积≤ 3% | |
| 硅面划痕（强光灯观测） | 累计长度≤ 1x晶圆直径 | |
| 崩边（强光灯观测） | ≤ 7个，每个≤ 1mm | |
| 穿透螺位错 | —— | |
| 硅面污染物（强光灯观测） | —— | |
| 包装 | 多片卡塞/单片盒包装 | |
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