天科合达目前已经开发出了第五代SiC单晶生长炉，该生长炉为我司自主研发设计制造。炉体采用单室立式双层水冷不锈钢结构，炉子整体结构由真空系统、感应加热、压力控制和提拉控制四部分控制体系组成。经过不断的升级迭代，第五代单晶炉在性能已成功达到国外同类水平，成本相比仅有其1/4。

主要优势有：
1、高度的自动化程序，无需人工操作
2、使用内置感应线圈，提高了耦合效率和电能利用率，能耗更低
3、能灵活改动温场，满足碳化硅晶体长大、长快、长厚的需求
4、金属真空室更安全耐用

单晶生长炉是生长碳化硅单晶材料的重要设备，为公司、高校和科研院所在研究和生产制备碳化硅单晶晶体、研发长晶工艺中，提供高精度的设备支撑。公司为此还提供优质的籽晶、粉料和长晶方面的技术支持。