新闻中心 公司新闻 天科合达公司《5-10厘米宽禁带半导体碳化硅晶体产业化》科技成果荣获2015年度新疆生产建设兵团科技进步一等奖

天科合达公司《5-10厘米宽禁带半导体碳化硅晶体产业化》科技成果荣获2015年度新疆生产建设兵团科技进步一等奖

2016/04/06

2016年3月9日，新疆生产建设兵团公布了2015年度科技进步奖评选结果，由北京天科合达蓝光半导体有限公司、新疆天科合达蓝光半导体有限公司和中国科学院物理研究所共同完成的《5-10厘米宽禁带半导体碳化硅晶体产业化》科技成果荣获兵团科技进步奖一等奖。

兵团科技进步一等奖为新疆生2016年3月9日，新疆生产建设兵团公布了2015年度科技进步奖评选结果，由北京天科合达蓝光半导体有限公司、新疆天科合达蓝光半导体有限公司和中国科学院物理研究所共同完成的《5-10厘米宽禁带半导体碳化硅晶体产业化》科技成果荣获兵团科技进步奖一等奖。产建设兵团科技创新奖项最高荣誉，其奖项的设立旨在对在兵团科学技术进步活动中做出突出贡献的个人和组织实施奖励，以激励科学技术人员的积极性和创造性，加速兵团科学技术进步，促进兵团经济与社会发展。天科合达公司《5-10厘米宽禁带半导体碳化硅晶体产业化》科技成果经过专家评审委员会和兵团科学技术奖励委员会的审核，并经过兵团决定，成功获得兵团科技进步一等奖。该奖项的获得与天科合达公司长期以来坚持自主研发，重视原始创新，追求卓越发展的战略目标是分不开的。

碳化硅(SiC)是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料。作为战略性新兴产业，SiC具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速率、耐辐射以及与氮化镓相近的晶格常数和热膨胀系数，非常适合制造高温、高频、大功率器件和高亮度发光二极管，在民用和军用领域具有广阔的应用前景。长期以来，国外对我国实施严格的技术封锁和销售管制。公司自2006年成立以来，依托中国科学院物理研究所雄厚的技术积累，在国内率先开展碳化硅晶体生长和加工的产业化，立足自主研发，重视原始创新，成功攻克了SiC晶体生长设备、晶体生长技术、加工技术等系列关键技术，并于2014年11月成功研发出国内第一根6英寸SiC晶体。作为SiC晶体产业先锋，天科合达公司一直保持着国内的领先地位，并在国际市场上拥有很高的知名度。本次获奖是对公司长期以来坚持自主研发、重视原始创新的发展战略和获得的科技成果的高度肯定。

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